SCALISE, EMILIO

SCALISE, EMILIO  

DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autori File
Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy 01 - Articolo su rivista 2022 Vanacore G. M.Scalise E.Barbisan L.Capitani G.Marzegalli A.Bergamaschini R.Miglio L. +
New insights into the electronic states of the Ge(0 0 1) surface by joint angle-resolved photoelectron spectroscopy and first-principle calculation investigation 01 - Articolo su rivista 2022 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Evolution and Intersection of Extended Defects and Stacking Faults in 3C-SiC Layers on Si (001) Substrates by Molecular Dynamics Simulations: The Forest Dislocation Case 01 - Articolo su rivista 2022 Barbisan L.Scalise E.Marzegalli A.
Impact of Inversion Domain Boundaries on the Electronic Properties of 3C-SiC 01 - Articolo su rivista 2022 Scalise, EMarzegalli, A +
Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini RScalise EAlbani MMontalenti FMiglio L +
Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini R.Albani M.Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
The formation of a Sn monolayer on Ge(1 0 0) studied at the atomic scale 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Stability and universal encapsulation of epitaxial Xenes 01 - Articolo su rivista 2021 Molle, AlessandroFaraone, GabrieleBonera, EmilianoScalise, EmilioGrazianetti, Carlo +
New approaches and understandings in the growth of cubic silicon carbide 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Miglio L. +
Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Miglio L. +
Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Sarikov A.Barbisan L.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L. +
Heteroepitaxy of 3C-SiC/Si on deeply patterned substrates 02 - Intervento a convegno 2020 Bergamaschini, RAlbani, MScalise, EAcciarri, MMarzegalli, AMontalenti, FMIglio, L
Molecular dynamics simulations of extended defects and their evolution in 3C-SiC by different potentials 01 - Articolo su rivista 2020 Sarikov, AndreyMarzegalli, AnnaBarbisan, LucaScalise, EmilioMontalenti, FrancescoMiglio, Leo
Kinetic Control of Morphology and Composition in Ge/GeSn Core/Shell Nanowires 01 - Articolo su rivista 2020 Bergamaschini R.Scalise E.Albani M.Montalenti F.Miglio L. +
The origin and nature of killer defects in 3C-SiC for power electronic applications by a multiscale atomistic approach 01 - Articolo su rivista 2020 Scalise E.Barbisan L.Sarikov A.Montalenti F.Miglio L.Marzegalli A.
Exciton-driven change of phonon modes causes strong temperature dependent bandgap shift in nanoclusters 01 - Articolo su rivista 2020 Scalise, Emilio +
Template effect of the nanowire core on the growth of hexagonal Si/Ge shell:a first principles modeling 02 - Intervento a convegno 2019 Scalise, EMontalenti, FMiglio, L +
Crystal free energy of SiC polytypes and stacking faults formation energy from DFT-based lattice-dynamics approach 02 - Intervento a convegno 2019 Scalise, EMarzegalli, AMontalenti, FMiglio, L
From the crystal free energy of SiC polytypes to the stacking faults formation energy: a DFT-based lattice-dynamics approach. 02 - Intervento a convegno 2019 Scalise, EMarzegalli, AMontalenti, FMiglio, L
Atomic scale insights into Sn on Ge(100): From submonolayers to the formation of Sn wetting layers 02 - Intervento a convegno 2019 E. ScaliseL. Miglio +