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IRIS – Institutional Research Information System

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Titolo Data di pubblicazione Autori
1 Crystal free energy of SiC polytypes and stacking faults formation energy from DFT-based lattice-dynamics approach 2019 SCALISE, EMILIO ; MARZEGALLI, ANNA ; MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA ; MIGLIO, LEONIDA

2 Kinetic growth modeling of 3C-SiC micro-crystals on Si pillars 2019 ALBANI, MARCO GIOCONDO ; BERGAMASCHINI, ROBERTO ; SCALISE, EMILIO ; MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA ; MIGLIO, LEONIDA

3 From the crystal free energy of SiC polytypes to the stacking faults formation energy: a DFT-based lattice-dynamics approach. 2019 SCALISE, EMILIO ; MARZEGALLI, ANNA ; MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA ; MIGLIO, LEONIDA

4 Atomic scale insights into Sn on Ge(100): From submonolayers to the formation of Sn wetting layers 2019 E. Hofmann; SCALISE, EMILIO ; S. R. Schofield; G. Capellini; MIGLIO, LEONIDA ; N. Curson; W. Klesse

5 Temperature-Dependent Stability of Polytypes and Stacking Faults in SiC: Reconciling Theory and Experiments 2019 SCALISE, EMILIO ; MARZEGALLI, ANNA ; MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA ; MIGLIO, LEONIDA

6 The interplay of morphology, composition and strain in metastable Ge/GeSn core/shell nanowires 2019 ALBANI, MARCO GIOCONDO ; Assali, S; BERGAMASCHINI, ROBERTO ; SCALISE, EMILIO ; Verheijen, M; Li, A; Kölling, S; Bakkers, E; MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA ; MIGLIO, LEONIDA

7 Surface chemistry and buried interfaces in all-inorganic nanocrystalline solids 2018 SCALISE, EMILIO ; Srivastava, Vishwas; Janke, Eric; Talapin, Dmitri; Galli, Giulia; Wippermann, Stefan

8 Synthesis of silicene on alternative substrates 2018 Houssa, M; SCALISE, EMILIO ; Afanas’ev, VV; Stesmans, A

9 Predicting 2D silicon allotropes on SnS2 2017 SCALISE, EMILIO ; Houssa, M

10 Silicene on non-metallic substrates: Recent theoretical and experimental advances 2017 SCALISE, EMILIO ; Iordanidou, K; Afanas’ev, VV.; Stesmans, A; Houssa, M

11 Theoretical study of transition metal dichalcogenides 2016 SCALISE, EMILIO

12 Theoretical aspects of graphene-like group IV semiconductors 2014 Houssa, M; van den Broek, B; SCALISE, EMILIO ; Ealet, B; Pourtois, G; Chiappe, D; Cinquanta, E; Grazianetti, C; FANCIULLI, MARCO ; Molle, A; Afanas'ev, VV; Stesmans, A.

13 Two-dimensional hexagonal tin: Ab initio geometry, stability, electronic structure and functionalization 2014 Van Den Broek, B; Houssa, M; SCALISE, EMILIO ; Pourtois, G; Afanas'ev, VV; Stesmans, A

14 Interaction of silicene and germanene with non-metallic substrates 2014 Houssa, M; SCALISE, EMILIO ; Van Den Broek, B; Lu, A; Pourtois, G; Afanas'Ev, VV; Stesmans, A

15 First-principles study of strained 2D MoS2 2014 SCALISE, EMILIO ; Houssa, M.; Pourtois, G.; Afanasev, V. V.; Stesmans, A.

16 Engineering the electronic properties of silicene by tuning the composition of MoX2 and GaX (X = S,Se,Te) chalchogenide templates 2014 SCALISE, EMILIO ; Houssa, M; Cinquanta, E; GRAZIANETTI, CARLO ; van den Broek, B; Pourtois, G; Stesmans, A; FANCIULLI, MARCO ; Molle, A.

17 Vibrational properties of epitaxial silicene layers on (111) Ag 2014 FANCIULLI, MARCO ; SCALISE, EMILIO

18 Two-dimensional Si nanosheets with local hexagonal structure on a MoS 2 surface 2014 Chiappe, D; SCALISE, EMILIO ; CINQUANTA, EUGENIO LUIGI ; GRAZIANETTI, CARLO ; Van Den Broek, B; FANCIULLI, MARCO ; Houssa, M; MOLLE, ALESSANDRO

19 First-principles electronic functionalization of silicene and germanene by adatom chemisorption 2014 Van Den Broek B.; Houssa M.; SCALISE, EMILIO ; Pourtois G.; Afanas'Ev V. V.; Stesmans A.

20 Interaction of silicene and germanene with non-metallic substrates 2014 Houssa M.; SCALISE, EMILIO ; Van Den Broek B.; Lu A.; Pourtois G.; Afanas'ev V. V.; Stesmans A.

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simulazione ASN

Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2018-2020 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione.
La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.

La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.

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