BERGAMASCHINI, ROBERTO

BERGAMASCHINI, ROBERTO  

DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autori File
Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires 01 - Articolo su rivista 2022 Bergamaschini R. +
Phase-field modeling of the morphological evolution of ringlike structures during growth: Thermodynamics, kinetics, and template effects 01 - Articolo su rivista 2022 Albani, MBergamaschini, RMontalenti, F +
Morphological evolution via surface diffusion learned by convolutional, recurrent neural networks: Extrapolation and prediction uncertainty 01 - Articolo su rivista 2022 Daniele LanzoniMarco AlbaniRoberto BergamaschiniFrancesco Montalenti
Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy 01 - Articolo su rivista 2022 Vanacore G. M.Scalise E.Barbisan L.Capitani G.Marzegalli A.Bergamaschini R.Miglio L. +
Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini RScalise EAlbani MMontalenti FMiglio L +
Semiconductor heteroepitaxy 05 - Curatele 2021 Bergamaschini, RVitiello, E
Modeling the kinetic-driven morphological evolution in the 3D epitaxy of semiconductor micro- and nano-structures 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Semiconductor Heteroepitaxy 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini, RVitiello, E
Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini R.Albani M.Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Growth of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films on T-shaped Si micropillars 01 - Articolo su rivista 2021 Albani M.Bergamaschini R.Miglio L. +
Faceting of Si and Ge crystals grown on deeply patterned Si substrates in the kinetic regime: phase-field modelling and experiments 01 - Articolo su rivista 2021 Albani M.Bergamaschini R.Montalenti F. +
Heteroepitaxy of 3C-SiC/Si on deeply patterned substrates 02 - Intervento a convegno 2020 Bergamaschini, RAlbani, MScalise, EAcciarri, MMarzegalli, AMontalenti, FMIglio, L
Self-Assembly of Nanovoids in Si Microcrystals Epitaxially Grown on Deeply Patterned Substrates 01 - Articolo su rivista 2020 Bergamaschini R.Albani M.Miglio L.Montalenti F. +
Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study 01 - Articolo su rivista 2020 Albani, MarcoBietti, SergioBergamaschini, RobertoMontalenti, FrancescoBallabio, AndreaMiglio, LeoSanguinetti, Stefano +
Reentrant Behavior of the Density vs. Temperature of Indium Islands on GaAs(111)A 01 - Articolo su rivista 2020 Tuktamyshev, ABietti, STsukamoto, SBergamaschini, RMontalenti, FSanguinetti, S +
Kinetic Control of Morphology and Composition in Ge/GeSn Core/Shell Nanowires 01 - Articolo su rivista 2020 Bergamaschini R.Scalise E.Albani M.Montalenti F.Miglio L. +
Kinetic growth and surface faceting of vertical micro- and nano-structures: theory and experiments 02 - Intervento a convegno 2019 Bergamaschini, RAlbani, MMiglio, LMontalenti, FSalvalaglio, M
Phase-field modelling of compositional segregation during the growth of core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2019 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Continuum model of out-of-equilibrium crystal growth: theory and experiments 02 - Intervento a convegno 2019 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Kinetic growth modeling of 3C-SiC micro-crystals on Si pillars 02 - Intervento a convegno 2019 ALBANI, MARCO GIOCONDOBERGAMASCHINI, ROBERTOScalise, EMontalenti, FMiglio, L