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Near-Infrared Light Trapping and Avalanche Multiplication in Silicon Epitaxial Microcrystals 01 - Articolo su rivista 2024 Bergamaschini R.Montalenti F.Miglio L. +
Interplay of crystal faceting, wetting interactions and substrate geometry in solid-state dewetting and selective-area growth: a phase-field approach 02 - Intervento a convegno 2024 Radice, EMiglio, LMontalenti, FBergamaschini, R
Surface and volume energies of α-, β-, and κ-Ga2O3 under epitaxial strain induced by a sapphire substrate 01 - Articolo su rivista 2024 Bertoni, IlariaUgolotti, AldoScalise, EmilioMiglio, Leo
2H-Si/Ge for Group-IV Photonics: on the Origin of Extended Defects in Core-Shell Nanowires 01 - Articolo su rivista 2024 Rovaris F.Marzegalli A.Miglio L.Scalise E. +
Silicon phase transitions in nanoindentation: Advanced molecular dynamics simulations with machine learning phase recognition 01 - Articolo su rivista 2024 Rovaris F.Lanzoni D.Barbisan L.Miglio L.Marzegalli A.Scalise E.Montalenti F. +
Defects in hexagonal Si-Ge nanowires: the extended I3 vs a “virtual” point-like defect 02 - Intervento a convegno 2023 Miglio, LScalise, EMarzegalli, A +
In-Plane Nanowire Growth of Topological Crystalline Insulator Pb₁₋ₓSnₓTe 01 - Articolo su rivista 2023 Bergamaschini R.Montalenti F.Miglio L. +
Photonic Properties of Self-Assembled Semiconductor Microstructures 02 - Intervento a convegno 2023 Jacopo PedriniIan ColomboAndrea BarzaghiLeonida MiglioFabio Pezzoli +
Hexagonal Diamond phase of Si and Ge by nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2023 Fabrizio RovarisAnna MarzegalliLeonida MiglioEmilio Scalise +
Continuum modeling of 3D semiconductor epitaxy: thermodynamic and kinetic driving forces behind morphological and compositional evolution 02 - Intervento a convegno 2022 Bergamaschini, RMontalenti, FMiglio, L
Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy 01 - Articolo su rivista 2022 Vanacore G. M.Scalise E.Barbisan L.Capitani G.Marzegalli A.Bergamaschini R.Miglio L. +
New insights into the electronic states of the Ge(0 0 1) surface by joint angle-resolved photoelectron spectroscopy and first-principle calculation investigation 01 - Articolo su rivista 2022 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Modelling the structural origin of defects in hexagonal Ge nanowires: the extended I3 vs a point-like defect 02 - Intervento a convegno 2022 Miglio, LScalise, EMarzegalli, A +
Growth of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films on T-shaped Si micropillars 01 - Articolo su rivista 2021 Albani M.Bergamaschini R.Miglio L. +
Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini RScalise EAlbani MMontalenti FMiglio L +
Extended defects in 3C-SiC: Stacking faults, threading partial dislocations, and inverted domain boundaries 01 - Articolo su rivista 2021 Sarikov A.Marzegalli A.Miglio L. +
Modeling the kinetic-driven morphological evolution in the 3D epitaxy of semiconductor micro- and nano-structures 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini R.Albani M.Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Sarikov A.Barbisan L.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L. +
The formation of a Sn monolayer on Ge(1 0 0) studied at the atomic scale 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
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