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New insights into the electronic states of the Ge(0 0 1) surface by joint angle-resolved photoelectron spectroscopy and first-principle calculation investigation 01 - Articolo su rivista 2022 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Nanostructured 3C-SiC on Si by a network of (111) platelets: a fully textured film generated by intrinsic growth anisotropy 01 - Articolo su rivista 2022 Vanacore G. M.Scalise E.Barbisan L.Capitani G.Marzegalli A.Bergamaschini R.Miglio L. +
Morphological evolution and compositional segregation effects in core-shell nanowires 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini RScalise EAlbani MMontalenti FMiglio L +
Modeling the kinetic-driven morphological evolution in the 3D epitaxy of semiconductor micro- and nano-structures 02 - Intervento a convegno 2021 Bergamaschini, RAlbani, MMontalenti, FMiglio, L
Extended defects in 3C-SiC: Stacking faults, threading partial dislocations, and inverted domain boundaries 01 - Articolo su rivista 2021 Sarikov A.Marzegalli A.Miglio L. +
The formation of a Sn monolayer on Ge(1 0 0) studied at the atomic scale 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
New approaches and understandings in the growth of cubic silicon carbide 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Miglio L. +
Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Sarikov A.Barbisan L.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L. +
Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials 01 - Articolo su rivista 2021 Scalise E.Miglio L. +
Mechanism of stacking fault annihilation in 3C-SiC epitaxially grown on Si(001) by molecular dynamics simulations 01 - Articolo su rivista 2021 Sarikov, AndreyMarzegalli, AnnaBarbisan, LucaMiglio, Leo +
Nature and Shape of Stacking Faults in 3C-SiC by Molecular Dynamics Simulations 01 - Articolo su rivista 2021 Barbisan L.Sarikov A.Marzegalli A.Montalenti F.Miglio L.
Growth of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films on T-shaped Si micropillars 01 - Articolo su rivista 2021 Albani M.Bergamaschini R.Miglio L. +
Author Correction: In-plane selective area InSb–Al nanowire quantum networks (Communications Physics, (2020), 3, 1, (59), 10.1038/s42005-020-0324-4) 99 - Altro 2021 Sarikov A.Marzegalli A.Miglio L. +
Prismatic Ge-rich inclusions in the hexagonal SiGe shell of GaP-Si-SiGe nanowires by controlled faceting 01 - Articolo su rivista 2021 Bergamaschini R.Albani M.Scalise E.Montalenti F.Miglio L. +
Heteroepitaxy of 3C-SiC/Si on deeply patterned substrates 02 - Intervento a convegno 2020 Bergamaschini, RAlbani, MScalise, EAcciarri, MMarzegalli, AMontalenti, FMIglio, L
The origin and nature of killer defects in 3C-SiC for power electronic applications by a multiscale atomistic approach 01 - Articolo su rivista 2020 Scalise E.Barbisan L.Sarikov A.Montalenti F.Miglio L.Marzegalli A.
Selective Area Epitaxy of GaAs/Ge/Si Nanomembranes: A Morphological Study 01 - Articolo su rivista 2020 Albani, MarcoBietti, SergioBergamaschini, RobertoMontalenti, FrancescoBallabio, AndreaMiglio, LeoSanguinetti, Stefano +
Molecular dynamics simulations of extended defects and their evolution in 3C-SiC by different potentials 01 - Articolo su rivista 2020 Sarikov, AndreyMarzegalli, AnnaBarbisan, LucaScalise, EmilioMontalenti, FrancescoMiglio, Leo
In-plane selective area InSb–Al nanowire quantum networks 01 - Articolo su rivista 2020 Sarikov, AndreyMarzegalli, AnnaMiglio, Leo +
Kinetic Control of Morphology and Composition in Ge/GeSn Core/Shell Nanowires 01 - Articolo su rivista 2020 Bergamaschini R.Scalise E.Albani M.Montalenti F.Miglio L. +
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