FANCIULLI, MARCO

FANCIULLI, MARCO  

DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autori File
Self-organized layered structure in epitaxially stabilized FeSi 01 - Articolo su rivista 1997 FANCIULLI, MARCOMIGLIO, LEONIDA +
Microscopic environment of Fe in epitaxially stabilized c-FeSi 01 - Articolo su rivista 1999 FANCIULLI, MARCOMIGLIO, LEONIDA +
EPR and UV-Raman study of BPSG thin films: structure and defects 01 - Articolo su rivista 2001 FANCIULLI, MARCOBONERA, EMILIANO +
Luminescence from beta-FeSi2 precipitates in Si. I. Morphology and epitaxial relationship 01 - Articolo su rivista 2002 GRILLI, EMANUELE ENRICOMIGLIO, LEONIDAFANCIULLI, MARCO +
Stress mapping in silicon: Advantages of using a Raman spectrometer with a single dispersive stage 01 - Articolo su rivista 2002 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Raman spectroscopy for a micrometric and tensorial analysis of stress in silicon 01 - Articolo su rivista 2002 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Structure evolution of atomic layer deposition grown ZrO2 films by deep-ultra-violet Raman and far-infrared spectroscopies 01 - Articolo su rivista 2003 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Time of flight secondary ion mass spectrometry study of silicon nanoclusters embedded in thin silicon oxide layers 01 - Articolo su rivista 2003 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Combining high resolution and tensorial analysis in Raman stress measurements of silicon 01 - Articolo su rivista 2003 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Effects of annealing temperature and surface preparation on the formation of cobalt silicide interconnects 01 - Articolo su rivista 2003 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Crystal and molecular structure of [(eta(5)-C5H4SiMe3)(2)LuCl](2): A precursor for the production of Lu2O3 films 01 - Articolo su rivista 2004 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures 01 - Articolo su rivista 2004 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Atomic-layer deposition of Lu2O3 01 - Articolo su rivista 2004 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Raman spectroscopy of strain in subwavelength microelectronic devices 01 - Articolo su rivista 2005 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Dielectric properties of high-kappa oxides: Theory and experiment for Lu-2O-3 01 - Articolo su rivista 2005 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Resonant Raman microscopy of stress in silicon-based microelectronics 03 - Contributo in libro 2005 Bonera, EFanciulli, M
Phosphorous-oxygen hole centers in phosphosilicate glass films 01 - Articolo su rivista 2006 FANCIULLI, MARCOBONERA, EMILIANOPACCHIONI, GIANFRANCO +
Band alignment at the La2Hf2O7/(001)Si interface 01 - Articolo su rivista 2006 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Atomic layer deposition of Lu silicate films using {[(Me3Si)(2)N](3)Lu} 01 - Articolo su rivista 2006 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +
Raman stress maps from finite-element models of silicon structures 01 - Articolo su rivista 2006 BONERA, EMILIANOFANCIULLI, MARCO +