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Electronic Properties of Perfect Dislocations in Germanium: A First-Principles Study 02 - Intervento a convegno 2025 Regazzoni, VRovaris, FMarzegalli, AMontalenti, FScalise, E
Dopant interactions with I3-basal stacking faults in hexagonal silicon: first-principles insights into fundamental mechanisms. 02 - Intervento a convegno 2025 Anna MarzegalliEmilio Scalise +
Unraveling the atomic-scale pathways driving pressure-induced phase transitions in silicon 01 - Articolo su rivista 2025 Rovaris F.Marzegalli A.Montalenti F.Scalise E.
Towards Hexagonal Germanium via Nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2025 Marzegalli, AScalise, EBikerouin, MRovaris, FFantasia, AMontalenti, FMiglio, L +
Pressure-dependent kinetics of phase transitions in Si and Ge using machine learning interatomic potentials 02 - Intervento a convegno 2025 Rovaris, FFantasia, ALanzoni, DMarzegalli AMontalenti, FScalise, E
Planar Hexagonal Germanium Grown on Cadmium Sulfide Substrate by Low-Energy Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. 02 - Intervento a convegno 2025 Emiliano BoneraAnna MarzegalliEmilio Scalise +
Unraveling Atomistic Mechanisms of Pressure-Induced Phase Transitions in Silicon and Germanium 02 - Intervento a convegno 2025 Rovaris, FFantasia, AMarzegalli, AMontalenti FScalise, E
Origin and Evolution of I3 defects in Hexagonal Silicon and Germanium 02 - Intervento a convegno 2025 Rovaris, FMarzegalli, AFantasia, AMontalenti, FMiglio, LScalise, E +
TEM analysis of Textured Silicon Polymorph Crystals obtained via Nanoindentation and Annealing 02 - Intervento a convegno 2025 Mouad BikerouinAnna MarzegalliFabrizio RovarisLeo MiglioEmilio Scalise +
Electronic Properties of Extended Defects in Germanium: A First-Principles Study 02 - Intervento a convegno 2025 Regazzoni, VScalise, EMarzegalli, AMontalenti, FCM
Electronic and optical properties of stacking faults in hexagonal germanium. 02 - Intervento a convegno 2025 Mouad BikerouinAnna MarzegalliEmilio Scalise +
Electronic Properties of Extended Defects in Germanium: A First-Principles Study 02 - Intervento a convegno 2025 Regazzoni , VScalise, EMarzegalli, ARovaris, FMontalenti, FCM
Formation of Micrometer-Sized Textured Hexagonal Silicon Crystals via Nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2025 Mouad BikerouinAnna MarzegalliFabrizio RovarisLeonida MiglioEmilio Scalise +
Interaction of Dopants with the I3-Type Basal Stacking Fault in Hexagonal-Diamond Si 01 - Articolo su rivista 2025 Marzegalli A.Scalise E. +
Formation of Micrometer-Sized Textured Hexagonal Silicon Crystals via Nanoindentation 01 - Articolo su rivista 2025 Bikerouin M.Marzegalli A.Rovaris F.Miglio L.Scalise E. +
Interface energies of Ga2O3 phases with the sapphire substrate and the phase-locked epitaxy of metastable structures explained 01 - Articolo su rivista 2025 Bertoni I.Ugolotti A.Scalise E.Bergamaschini R.Miglio L.
Unravelling Atomistic Mechanisms of Pressure-Induced Phase Transitions in Silicon Nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2024 Fabrizio RovarisAnna marzegalliDaniele LanzoniAndrea FantasiaFrancesco MontalentiEmilio Scalise +
Surface and volume energies of α-, β-, and κ-Ga2O3 under epitaxial strain induced by a sapphire substrate 01 - Articolo su rivista 2024 Bertoni, IlariaUgolotti, AldoScalise, EmilioMiglio, Leo
Results and challenges in obtaining the hexagonal diamond Si phase by nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2024 Marzegalli, ARovaris, FBikerouin, MScalise, E +
Atomistic Mechanisms of dc-hd Phase Transition in Si Nanoindentation 02 - Intervento a convegno 2024 Rovaris, FLanzoni, DMarzegalli, ABarbisan, LMiglio, LScalise, EMontalenti, F +
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