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EnglishSilicon-rich SiGe alloys represent a promising platform for the development of large-area single-mode optical waveguides to be integrated in silicon-based optical circuits. We find that SiGe layers epitaxially grown on Si successfully guide radiation with a 1.55 μm wavelength, but, beyond a critical core thickness, their optical properties are strongly affected by the clustering of misfit dislocations at the interface between Si and SiGe, leading to a significant perturbation of the local refractive index. Transmission electron microscopy and micro-Raman spectroscopy, together with finite-element simulations, provide a complete analysis of the impact of dislocations on optical propagation. © 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
| Citazione: | Trita, A., Cristiani, I., Degiorgio, V., Chrastina, D., Colombo, D., Isella, G., et al. (2009). Impact of misfit dislocation on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides. OPTICS COMMUNICATIONS, 282(24), 4716-4722. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Titolo: | Impact of misfit dislocation on wavefront distortion in Si/SiGe/Si optical waveguides |
| Autori: | Trita, A, Bragheri, F; Cristiani, I; Degiorgio, V; Chrastina, D; Colombo, D; Isella, G; von Känel, H; Gramm, F; Müller, E; Döbeli, M; Bonera, E; Gatti, R; Pezzoli, F; Grilli, EE; Guzzi, M; Miglio, L; |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2009 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | OPTICS COMMUNICATIONS |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1016/j.optcom.2009.09.026 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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