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EnglishBy means of resonant Raman spectroscopy we investigated the strain on a single ultrathin crystalline silicon layer, locally induced by buried SiGe nanostructures. The spectrum of a 5-nm-thick silicon layer on top of SiGe islands shows a single highly strained feature attributed to the out-of-plane phonon. The direct comparison of the experimental results with finite-element methods through spectral simulation shows excellent agreement that clarifies the physical origin of the spectrum. An increase in the silicon layer thickness up to 40 nm results in a progressive reduction in the strain
| Citazione: | Bonera, E., Pezzoli, F., Picco, A., Vastola, G., Stoffel, M., Grilli, E.E., et al. (2009). Strain in a single ultrathin silicon layer on top of SiGe islands: Raman spectroscopy and simulations. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 79(7). |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | Si |
| Titolo: | Strain in a single ultrathin silicon layer on top of SiGe islands: Raman spectroscopy and simulations |
| Autori: | Bonera, E; Pezzoli, F; Picco, A; Vastola, G; Stoffel, M; Grilli, EE; Guzzi, M; Rastelli, A; Schmidt, OG; Miglio, L |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2009 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1103/PhysRevB.79.075321 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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