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EnglishAlbani, M., Bergamaschini, R., Rovaris, F., Miglio, L., & Montalenti, F. (2017). Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach. Intervento presentato a: ICG2017 Italian Crystal Growth 2017, Milano Bicocca, Milano, Italy.
| Citazione: | Albani, M., Bergamaschini, R., Rovaris, F., Miglio, L., & Montalenti, F. (2017). Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach. Intervento presentato a: ICG2017 Italian Crystal Growth 2017, Milano Bicocca, Milano, Italy. | |
| Tipo: | abstract + poster | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No | |
| Titolo: | Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach | |
| Autori: | Albani, M; Bergamaschini, R; Rovaris, F; Miglio, L; Montalenti, F | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2017 | |
| Lingua: | English | |
| Nome del convegno: | ICG2017 Italian Crystal Growth 2017 | |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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