Bicocca Open Archive

Logo unimib boa

Albani, M., Bergamaschini, R., Rovaris, F., Miglio, L., Montalenti, F. (2017). Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach. Intervento presentato a: ICG2017 Italian Crystal Growth 2017, Milano Bicocca, Milano, Italy.

Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach

Albani, M
;Bergamaschini, R;ROVARIS, FABRIZIO;Miglio, L;Montalenti, F.
2017
abstract + poster
continuum modeling, heteroepitaxy, Ge, Si, dislocation, intermixing, patterning, phase-field
English
ICG2017 Italian Crystal Growth 2017
2017
2017
none
Albani, M., Bergamaschini, R., Rovaris, F., Miglio, L., Montalenti, F. (2017). Modeling semiconductor heteroepitaxy: a continuum approach. Intervento presentato a: ICG2017 Italian Crystal Growth 2017, Milano Bicocca, Milano, Italy.
02 - Intervento a convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/176132
Citazioni
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
Social impact