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EnglishPhotoluminescence (PL) emission spectra of sexithiophene (6T) thin films grown on different substrates by organic molecular beam deposition (OMBD) are studied in the range of temperature from 300 to 7 K. Besides the two vibronic progressions detectable between 300 and 50 K, related to the radiative recombination of the free exciton and to a structural defect state, a new emission is observed at temperatures lower than 40 K, whose origin is discussed in terms of exciton bound to a structural defects. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
| Citazione: | Cerminara, A., Borghesi, A., Meinardi, F., Sassella, A., Tubino, R., & Papagni, A. (2002). Temperature activated de-trapping processes in vacuum deposited sexithiophene thin films. SYNTHETIC METALS, 128(1), 63-66. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Temperature activated de-trapping processes in vacuum deposited sexithiophene thin films |
| Autori: | Cerminara, A; Borghesi, A; Meinardi, F; Sassella, A; Tubino, R; Papagni, A |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 10-apr-2002 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | SYNTHETIC METALS |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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