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In this paper, reliability issues in Gallium Nitride (GaN) HEMTs are empirically investigated. To this purpose, stress measurements were carried out on a microwave transistor under realistic load-line conditions exploiting a nonlinear load-pull setup operating at few megahertz. Although the characterization strategy was applied on a 150-nm GaN technology, it has general validity and, as will be demonstrated by the reported experimental results, can be successfully applied to evaluate the maturity of the investigated technology processes.
Raffo, A., Vadalà, V., Bosi, G., Giofre, R., Vannini, G. (2022). 150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation. In 2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2022 (pp.141-144). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.23919/EuMIC54520.2022.9923438].
150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation
In this paper, reliability issues in Gallium Nitride (GaN) HEMTs are empirically investigated. To this purpose, stress measurements were carried out on a microwave transistor under realistic load-line conditions exploiting a nonlinear load-pull setup operating at few megahertz. Although the characterization strategy was applied on a 150-nm GaN technology, it has general validity and, as will be demonstrated by the reported experimental results, can be successfully applied to evaluate the maturity of the investigated technology processes.
Raffo, A., Vadalà, V., Bosi, G., Giofre, R., Vannini, G. (2022). 150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation. In 2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2022 (pp.141-144). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.23919/EuMIC54520.2022.9923438].
Raffo, A; Vadalà, V; Bosi, G; Giofre, R; Vannini, G
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/398806
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
