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In this manuscript reliability issues in GaAs pHEMTs are empirically investigated. Starting from typical reliability approaches where the average value of the gate current is dealt with, we show that an exhaustive information for reliability analysis can be obtained only by looking at the gate current dynamic behaviour. Different experimental examples are provided in order to demonstrate the validity of the proposed considerations.
Vadalà, V., Bosi, G., Raffo, A., Vannini, G., Avolio, G., Schreurs, D. (2012). Influence of the Gate Current Dynamic Behaviour on GaAs HEMT Reliability Issues. In European Microwave Week 2012: "Space for Microwaves", EuMW 2012, Conference Proceedings - 7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012 (pp.258-261). EUMA.
Influence of the Gate Current Dynamic Behaviour on GaAs HEMT Reliability Issues
In this manuscript reliability issues in GaAs pHEMTs are empirically investigated. Starting from typical reliability approaches where the average value of the gate current is dealt with, we show that an exhaustive information for reliability analysis can be obtained only by looking at the gate current dynamic behaviour. Different experimental examples are provided in order to demonstrate the validity of the proposed considerations.
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012 - Held as Part of 15th European Microwave Week, EuMW 2012 - 29 October 2012 through 30 October 2012
2012
European Microwave Week 2012: "Space for Microwaves", EuMW 2012, Conference Proceedings - 7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012
9782874870286
2012
258
261
6483785
https://ieeexplore.ieee.org/document/6483785
none
Vadalà, V., Bosi, G., Raffo, A., Vannini, G., Avolio, G., Schreurs, D. (2012). Influence of the Gate Current Dynamic Behaviour on GaAs HEMT Reliability Issues. In European Microwave Week 2012: "Space for Microwaves", EuMW 2012, Conference Proceedings - 7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012 (pp.258-261). EUMA.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/398799
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
