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In this paper, an empirical characterization technique of charge-trapping effects in GaN FETs based on low-frequency measurements is proposed. It is applied on a 0.25 × 600 μm2GaN HEMT. Experimental results confirm theoretical assumptions reported in literature.
Bosi, G., Raffo, A., Nalli, A., Vadalà, V., Vannini, G. (2014). Characterization of charge-trapping effects in GaN FETs through low-frequency measurements. In International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2014 (pp.1-3). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2014.6815078].
Characterization of charge-trapping effects in GaN FETs through low-frequency measurements
In this paper, an empirical characterization technique of charge-trapping effects in GaN FETs based on low-frequency measurements is proposed. It is applied on a 0.25 × 600 μm2GaN HEMT. Experimental results confirm theoretical assumptions reported in literature.
Bosi, G., Raffo, A., Nalli, A., Vadalà, V., Vannini, G. (2014). Characterization of charge-trapping effects in GaN FETs through low-frequency measurements. In International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2014 (pp.1-3). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2014.6815078].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/393657
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
