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In this paper an automated measurement system for the investigation of degradation phenomena in GaN FETs is presented. The system is able to perform both static and dynamic stress cycles under actual device operation, gathering useful information strictly related to the 'health' of the device. As case study a 75-VDC GaN HEMT was used for a 19-hours stress test, putting in evidence how the device performance slightly degrades during the stress experiment.
Trevisan, F., Raffo, A., Bosi, G., Vadala', V., Vannini, G., Formicone, G., et al. (2017). 75-VDC GaN technology investigation from a degradation perspective. In Proceedings of the 2017 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2017 (pp.1-4). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2017.7927302].
75-VDC GaN technology investigation from a degradation perspective
TREVISAN, Francesco;RAFFO, Antonio
;BOSI, Gianni;VADALA', Valeria;VANNINI, Giorgio;Formicone, Gabriele;Burger, Jeff;Custer, James
2017
Abstract
In this paper an automated measurement system for the investigation of degradation phenomena in GaN FETs is presented. The system is able to perform both static and dynamic stress cycles under actual device operation, gathering useful information strictly related to the 'health' of the device. As case study a 75-VDC GaN HEMT was used for a 19-hours stress test, putting in evidence how the device performance slightly degrades during the stress experiment.
Trevisan, F., Raffo, A., Bosi, G., Vadala', V., Vannini, G., Formicone, G., et al. (2017). 75-VDC GaN technology investigation from a degradation perspective. In Proceedings of the 2017 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2017 (pp.1-4). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2017.7927302].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/380648
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
