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Boron accumulation was observed close to the interface between an epitaxially grown silicon layer and a silicon substrate wafer and then analyzed. It was concluded that boron contamination interacting with the surface oxide on wafers led to boron accumulation close to the interface. Such accumulation is shown to occur for epilayers of standard thickness (approximately 10 mum), with boron being electrically unactive
Pivac, B., Borghesi, A., Geddo, M., Sassella, A., & Pedrotti, M. (1992). Boron accumulation at epi-substrate silicon interface during epitaxial growth. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 15(1), 32-36 [10.1016/0921-5107(92)90025-5].
Boron accumulation at epi-substrate silicon interface during epitaxial growth
Boron accumulation was observed close to the interface between an epitaxially grown silicon layer and a silicon substrate wafer and then analyzed. It was concluded that boron contamination interacting with the surface oxide on wafers led to boron accumulation close to the interface. Such accumulation is shown to occur for epilayers of standard thickness (approximately 10 mum), with boron being electrically unactive
Pivac, B., Borghesi, A., Geddo, M., Sassella, A., & Pedrotti, M. (1992). Boron accumulation at epi-substrate silicon interface during epitaxial growth. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 15(1), 32-36 [10.1016/0921-5107(92)90025-5].
Pivac, B; Borghesi, A; Geddo, M; Sassella, A; Pedrotti, M
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/10281/34675
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
