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EnglishIn this paper we report the study of early stages of oxygen precipitation in commercial Czochralski silicon as-received wafers and in wafers treated at 1100-degrees for 80 min. The high spatial resolution infrared technique used is able to detect platelet shaped SiO2 precipitates, even in low concentrations. We detected a strong polarization dependence of the precipitate related infrared absorption band performing measurements with linearly polarized light. From these results a preferred orientation of a precipitate aggregation was deduced
Borghesi, A., Pivac, B., & Sassella, A. (1993). Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 126(1), 63-69 [10.1016/0022-0248(93)90226-M].
| Citazione: | Borghesi, A., Pivac, B., & Sassella, A. (1993). Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 126(1), 63-69 [10.1016/0022-0248(93)90226-M]. | |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | Si | |
| Titolo: | Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon | |
| Autori: | Borghesi, A; Pivac, B; Sassella, A | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1993 | |
| Lingua: | English | |
| Rivista: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(93)90226-M | |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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