Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA LE MODIFICHE in fondo alla pagina
Bicocca Open Archive
In this paper we report the study of early stages of oxygen precipitation in commercial Czochralski silicon as-received wafers and in wafers treated at 1100-degrees for 80 min. The high spatial resolution infrared technique used is able to detect platelet shaped SiO2 precipitates, even in low concentrations. We detected a strong polarization dependence of the precipitate related infrared absorption band performing measurements with linearly polarized light. From these results a preferred orientation of a precipitate aggregation was deduced
Borghesi, A., Pivac, B., & Sassella, A. (1993). Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 126(1), 63-69 [10.1016/0022-0248(93)90226-M].
Oxygen precipitates in short-time annealed Czochralski silicon
In this paper we report the study of early stages of oxygen precipitation in commercial Czochralski silicon as-received wafers and in wafers treated at 1100-degrees for 80 min. The high spatial resolution infrared technique used is able to detect platelet shaped SiO2 precipitates, even in low concentrations. We detected a strong polarization dependence of the precipitate related infrared absorption band performing measurements with linearly polarized light. From these results a preferred orientation of a precipitate aggregation was deduced
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/10281/34668
Citazioni
5
5
Social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.