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In this paper, a nonlinear transistor model extraction technique oriented to E-band power amplifier design is discussed. Two models are extracted, based on analytical functions and look-up-tables, respectively. The latter was used for the design of two power amplifiers (PAs) covering the bandwidths 71-76 and 81-86 GHz. The models have been fully validated by comparing their predictions with measurements carried out on the realized MMIC PAs.
Vadala', V., Raffo, A., Colzani, A., Fumagalli, M., Sivverini, G., Bosi, G., et al. (2021). Advanced Modelling Techniques Enabling E-Band Power Amplifier Design for 5G Backhauling. In EuMIC 2020 - 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference (pp.161-164). 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
Advanced Modelling Techniques Enabling E-Band Power Amplifier Design for 5G Backhauling
Vadala', V;Raffo, A;Colzani, A;Fumagalli, MA;Sivverini, G;Bosi, G;Vannini, G
2021
Abstract
In this paper, a nonlinear transistor model extraction technique oriented to E-band power amplifier design is discussed. Two models are extracted, based on analytical functions and look-up-tables, respectively. The latter was used for the design of two power amplifiers (PAs) covering the bandwidths 71-76 and 81-86 GHz. The models have been fully validated by comparing their predictions with measurements carried out on the realized MMIC PAs.
microwave FET; nonlinear transistor modeling; power amplifiers;
English
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020 JAN 10-15
2021
EuMIC 2020 - 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference
978-2-87487-060-6
2021
161
164
9337327
https://ieeexplore.ieee.org/document/9337327
none
Vadala', V., Raffo, A., Colzani, A., Fumagalli, M., Sivverini, G., Bosi, G., et al. (2021). Advanced Modelling Techniques Enabling E-Band Power Amplifier Design for 5G Backhauling. In EuMIC 2020 - 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference (pp.161-164). 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/345632
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
