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EnglishA detailed analysis of infrared absorption spectra of porous silicon is performed on the basis of high spatial resolution measurements. Microscopic inhomogeneity and a strong influence of storage ambient are observed. Si atoms of the porous silicon surface are found to bind to H, O, C atoms and to CH3 and OH groups. The presence of free H2O molecules is also detected
Borghesi, A., Sassella, A., Pivac, B., & Pavesi, L. (1993). Characterization of porous silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 87(1), 1-4 [10.1016/0038-1098(93)90524-Q].
| Citazione: | Borghesi, A., Sassella, A., Pivac, B., & Pavesi, L. (1993). Characterization of porous silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 87(1), 1-4 [10.1016/0038-1098(93)90524-Q]. | |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No | |
| Titolo: | Characterization of porous silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy | |
| Autori: | Borghesi, A; Sassella, A; Pivac, B; Pavesi, L | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1993 | |
| Lingua: | English | |
| Rivista: | SOLID STATE COMMUNICATIONS | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(93)90524-Q | |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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