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In this paper, we discuss the comparison of two GaN HEMT technology processes by means of large-signal low-frequency (LF) measurements. LF load line analysis clarified the increase of output power and drain efficiency resulting from significant improvement of both knee voltage and maximum drain current by a modified technology process. The cross-check on this advantage was carried out by means of commonly adopted high-frequency load-pull measurement setups.
Kikuchi, K., Yamamoto, H., Ui, N., Inoue, K., Vadalà, V., Bosi, G., et al. (2018). Comparison of GaN HEMT Technology Processes by Large-Signal Low-Frequency Measurements. In International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMIC 2018 - Proceedings (pp.1-3). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2018.8430002].
Comparison of GaN HEMT Technology Processes by Large-Signal Low-Frequency Measurements
In this paper, we discuss the comparison of two GaN HEMT technology processes by means of large-signal low-frequency (LF) measurements. LF load line analysis clarified the increase of output power and drain efficiency resulting from significant improvement of both knee voltage and maximum drain current by a modified technology process. The cross-check on this advantage was carried out by means of commonly adopted high-frequency load-pull measurement setups.
Kikuchi, K., Yamamoto, H., Ui, N., Inoue, K., Vadalà, V., Bosi, G., et al. (2018). Comparison of GaN HEMT Technology Processes by Large-Signal Low-Frequency Measurements. In International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMIC 2018 - Proceedings (pp.1-3). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/INMMIC.2018.8430002].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/343350
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
