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EnglishBergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.
| Citazione: | Bergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016. | |
| Tipo: | abstract + slide | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No | |
| Titolo: | Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy | |
| Autori: | Bergamaschini, R; Rovaris, F; Montalenti, F | |
| Autori: | BERGAMASCHINI, ROBERTO (Primo) MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA (Ultimo) | |
| Data di pubblicazione: | 2016 | |
| Lingua: | English | |
| Nome del convegno: | EDS Extended Defects in Semiconductors 2016 | |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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