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Bergamaschini, R., Rovaris, F., Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.

Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy

BERGAMASCHINI, ROBERTO
Primo
;ROVARIS, FABRIZIO;MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA
Ultimo
2016
No
abstract + slide
Scientifica
heteroepitaxy; Si; Ge; dislocations
English
EDS Extended Defects in Semiconductors 2016
Bergamaschini, R., Rovaris, F., Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.
Bergamaschini, R; Rovaris, F; Montalenti, F
02 - Intervento a convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/132943
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