Bergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.
Citazione: | Bergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016. | |
Tipo: | abstract + slide | |
Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No | |
Titolo: | Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy | |
Autori: | Bergamaschini, R; Rovaris, F; Montalenti, F | |
Autori: | BERGAMASCHINI, ROBERTO (Primo) MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA (Ultimo) | |
Data di pubblicazione: | 2016 | |
Lingua: | English | |
Nome del convegno: | EDS Extended Defects in Semiconductors 2016 | |
Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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