Bergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016.
Citazione: | Bergamaschini, R., Rovaris, F., & Montalenti, F. (2016). Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy. In Abstract Book EDS 2016. |
Tipo: | abstract + slide |
Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No |
Titolo: | Continuum model of cyclic growth induced by dislocations in SiGe/Si heteroepitaxy |
Autori: | Bergamaschini, R; Rovaris, F; Montalenti, F |
Autori: | BERGAMASCHINI, ROBERTO (Primo) MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA (Ultimo) |
Data di pubblicazione: | 2016 |
Lingua: | English |
Nome del convegno: | EDS Extended Defects in Semiconductors 2016 |
Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.