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EnglishThe knowledge and control of the structural details (texture, crystallite environment and size) of nanocrystalline silicon films is a prerequisite for their proper application in various technological fields. To this purpose, nanocrystalline silicon films grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition (LEPECVD) on different kinds of substrates were submitted to a systematic characterization using Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The results showed how the difference in substrate morphology is responsible for a deep difference in the film structural properties, particularly in the case of high silane dilutions
| Citazione: | Le Donne, A., Binetti, S., Isella, G., Pichaud, B., Texier, M., Acciarri, M., et al. (2008). Structural characterization of nc-Si films grown by low-energy PECVD on different substrates. APPLIED SURFACE SCIENCE, 254(9), 2804-2808. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Structural characterization of nc-Si films grown by low-energy PECVD on different substrates |
| Autori: | Le Donne, A; Binetti,S.; Isella,G.; Pichaud,B.; Texier, M. ; Acciarri,M.; Pizzini, S |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 28-feb-2008 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | APPLIED SURFACE SCIENCE |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1016/j.apsusc.2007.10.025 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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