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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autori File
Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100) 01 - Articolo su rivista 2017 Tuktamyshev, AR +
Growth of Epitaxial SiSn Films with High Sn Content for IR Converters 01 - Articolo su rivista 2017 Tuktamyshev, AR +
Sn influence on MBE growth of GeSiSn/Si MQW 02 - Intervento a convegno 2017 Tuktamyshev, AR +
Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents 01 - Articolo su rivista 2017 Tuktamyshev, AR +
Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers 01 - Articolo su rivista 2016 Tuktamyshev, AR +
Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions 01 - Articolo su rivista 2015 Tuktamyshev, AR +
Initial Growth Stages of Si-Ge-Sn Ternary Alloys Grown on Si (100) by Low-Temperature Molecular-Beam Epitaxy 01 - Articolo su rivista 2015 Tuktamyshev, AR +
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