IRIS – Institutional Research Information System
IRIS è il sistema di gestione della ricerca dell’Università degli Studi di Milano-Bicocca.Il repository BOA è il modulo del sistema dedicato alla raccolta e alla disseminazione della produzione scientifica di Ateneo. Le pubblicazioni sono ricercabili per parola chiave attraverso il box nella barra orizzontale in alto oppure, mediante il pulsante Sfoglia, per "Afferenza", "Autore", "Titolo", "Tipologia" o "Settore scientifico-disciplinare".
IRIS contiene inoltre alcuni moduli dedicati alla registrazione dei progetti e dei contratti, e alla reportistica avanzata per le attività di valutazione della ricerca
EnglishLow-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition experiments indicate that strain relaxation in thin virtual SiGe layers grown abruptly on a Si substrate may occur more efficiently than in thick graded layers. We provide one possible explanation using molecular dynamics simulations based on Tersoff potentials, showing that the mobility of shuffle dislocation segments is enhanced with increasing misfit in Ge/SiGe(001) alloys. A low strain regime favors the formation of partialized glide segments. The simulated mobility of the perfect shuffle core, in the case of strong compressive stress, appears to be extremely high. Despite being qualitative in nature, these results suggest an intriguing interpretation of the experimental observation. © 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
Marzegalli, A., Montalenti, F., Bollani, A., Miglio, L., Isella, G., Chrastina, D., et al. (2004). Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain- dependent dislocation nature. MICROELECTRONIC ENGINEERING, 76(1-4), 290-296.
| Citazione: | Marzegalli, A., Montalenti, F., Bollani, A., Miglio, L., Isella, G., Chrastina, D., et al. (2004). Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain- dependent dislocation nature. MICROELECTRONIC ENGINEERING, 76(1-4), 290-296. | |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Titolo: | Relaxed SiGe heteroepitaxy on Si with very thin buffer layers: experimental LEPECVD indications and an interpretation based on strain- dependent dislocation nature | |
| Autori: | Marzegalli, A; Montalenti, F; Bollani, A; Miglio, L; Isella, G; Chrastina, D; von Kanel, H | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | ott-2004 | |
| Lingua: | English | |
| Rivista: | MICROELECTRONIC ENGINEERING | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2004.07.031 | |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Copyright © 2021