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D'Aniello, F., Tettamanti, M., Shah, S., Mattiazzo, S., Bonaldo, S., Vadalà, V., et al. (2025). Single-Event Upset Characterization of a Shift Register in 16 nm FinFET Technology. ELECTRONICS, 14(7) [10.3390/electronics14071421].

Single-Event Upset Characterization of a Shift Register in 16 nm FinFET Technology

D'Aniello, Federico
;Tettamanti, Marcello;Shah, Syed Adeel Ali;Vadalà, Valeria;Baschirotto, Andrea
2025
Articolo in rivista - Articolo scientifico
Single-Event Upset (SEU); Single-Event Effect (SEE); FinFET; ionizing radiation; Rad-Hard By Design (RHBD); Triple Module Redundancy (TMR)
English
31-mar-2025
2025
ELECTRONICS
14
7
1421
open
D'Aniello, F., Tettamanti, M., Shah, S., Mattiazzo, S., Bonaldo, S., Vadalà, V., et al. (2025). Single-Event Upset Characterization of a Shift Register in 16 nm FinFET Technology. ELECTRONICS, 14(7) [10.3390/electronics14071421].
01 - Articolo su rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/548402
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