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EnglishWe present a detailed study of the carrier thermodynamics in InAs/InxGa1-xAs self-assembled quantum dots performed via an accurate determination of the dependence of the quantum dot photoluminescence efficiency on temperature, excitation power density and wavelength. We have found experimental evidences that the electron and hole populations in the dots are highly correlated. We also show that other puzzling effects, like the onset of the superlinear dependence of the quantum dot integrated photoluminescence intensity on the excitation power density, stem from the saturation, by the photogenerated carriers, of nonradiative centers in barrier.
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http://hdl.handle.net/10281/528| Citazione: | Sanguinetti, S., Colombo, D., Guzzi, M., Grilli, E., Gurioli, M., Seravalli, L., et al. (2006). Carrier thermodynamics in InAs/InxGa1-xAs quantum dots. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 74(20), 205302-205306. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Carrier thermodynamics in InAs/InxGa1-xAs quantum dots |
| Autori: | Sanguinetti, S; Colombo, D; Guzzi, M; Grilli, E; Gurioli, M; Seravalli, L; Frigeri, P; Franchi, S |
| Autori interni: | SANGUINETTI, STEFANO GUZZI, MARIO GRILLI, EMANUELE ENRICO |
| Data di pubblicazione: | nov-2006 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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