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DI PALMA, V., Pianalto, A., Perego, M., Tallarida, G., Fanciulli, M. (2022). Plasma-assisted ALD of IrO2 for Neuroelectronic Applications. Intervento presentato a: 22nd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022), Ghent, Belgium.

Plasma-assisted ALD of IrO2 for Neuroelectronic Applications

Valerio Di Palma
Primo
;Marco Fanciulli
Ultimo
2022
relazione (orale)
Atomic layer deposition, iridium oxide, neuroelectronics
English
22nd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022)
2022
2022
none
DI PALMA, V., Pianalto, A., Perego, M., Tallarida, G., Fanciulli, M. (2022). Plasma-assisted ALD of IrO2 for Neuroelectronic Applications. Intervento presentato a: 22nd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022), Ghent, Belgium.
02 - Intervento a convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/461580
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