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EnglishDirect-gap and indirect-gap transitions in strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich SiGe barriers have been studied by optical transmission spectroscopy and photoluminescence experiments. An s p3 d5 s tight-binding model has been adopted to interpret the experimental results. Photoluminescence spectra and their comparison with theoretical calculations prove the existence of type-I band alignment in compressively strained Ge quantum wells grown on relaxed Ge-rich SiGe buffers. The high quality of the transmission spectra opens up other perspectives for application of these structures in near-infrared optical modulators. © 2008 The American Physical Society.
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http://hdl.handle.net/10281/4488| Citazione: | Bonfanti, M., Virgilio, M., Chrastina, D., Isella, G., Grilli, E., Guzzi, M., et al. (2008). Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 78, 041407. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Optical transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers |
| Autori: | Bonfanti, M; Virgilio, M; Chrastina, D; Isella, G; Grilli, E; Guzzi, M; Grosso, G; Neels, A; von Känel, H |
| Autori interni: | GRILLI, EMANUELE ENRICO GUZZI, MARIO BONFANTI, MATTEO |
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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