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The self-assembly of Ge1Sb2Te4 nanowires (NWs) for phase change memories application was achieved by metal organic chemical vapor deposition, catalyzed by Au nanoislands in a narrow range of temperatures and deposition pressures. In the optimized conditions of 400 degrees C, 50 mbar, the NWs are Ge1Sb2Te4 single hexagonal crystals. Phase change memory switching was reversibly induced by nanosecond current pulses through metal-contacted NWs with threshold voltage of about 1.35 V.
Longo, M., Fallica, R., Wiemer, C., Salicio, O., Fanciulli, M., Rotunno, E., et al. (2012). Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Phase Change Ge1Sb2Te4 Nanowires. NANO LETTERS, 12(3), 1509-1515 [10.1021/nl204301h].
Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Phase Change Ge1Sb2Te4 Nanowires
The self-assembly of Ge1Sb2Te4 nanowires (NWs) for phase change memories application was achieved by metal organic chemical vapor deposition, catalyzed by Au nanoislands in a narrow range of temperatures and deposition pressures. In the optimized conditions of 400 degrees C, 50 mbar, the NWs are Ge1Sb2Te4 single hexagonal crystals. Phase change memory switching was reversibly induced by nanosecond current pulses through metal-contacted NWs with threshold voltage of about 1.35 V.
Longo, M., Fallica, R., Wiemer, C., Salicio, O., Fanciulli, M., Rotunno, E., et al. (2012). Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Phase Change Ge1Sb2Te4 Nanowires. NANO LETTERS, 12(3), 1509-1515 [10.1021/nl204301h].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/43750
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
