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The extraction of an accurate model for GaN HEMT devices is of fundamental importance for high-power amplifier design. In particular, the model should be able to reproduce the microwave device behaviour under realistic operating conditions. In light of that, we present a technique for extracting a large-signal GaN HEMT equivalent circuit, which includes both low-frequency dispersive phenomena and high-frequency non-quasi-static effects.
Crupi, G., Raffo, A., Schreurs, D., Avolio, G., Vadalà, V., Di Falco, S., et al. (2011). GaN HEMT large-signal model accounting for both low-frequency dispersion and high-frequency non-quasi-static effects. In 2011 10th International Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services, TELSIKS 2011 - Proceedings of Papers (pp.234-237). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/TELSKS.2011.6112041].
GaN HEMT large-signal model accounting for both low-frequency dispersion and high-frequency non-quasi-static effects
Crupi, G.;Raffo, A;Schreurs, DMM;Avolio, G.;Vadalà, V;Di Falco, S;Caddemi, A;Vannini, G
2011
Abstract
The extraction of an accurate model for GaN HEMT devices is of fundamental importance for high-power amplifier design. In particular, the model should be able to reproduce the microwave device behaviour under realistic operating conditions. In light of that, we present a technique for extracting a large-signal GaN HEMT equivalent circuit, which includes both low-frequency dispersive phenomena and high-frequency non-quasi-static effects.
2011 10th International Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services, TELSIKS 2011 - 5 October 2011 through 8 October 2011
2011
2011 10th International Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services, TELSIKS 2011 - Proceedings of Papers
Crupi, G., Raffo, A., Schreurs, D., Avolio, G., Vadalà, V., Di Falco, S., et al. (2011). GaN HEMT large-signal model accounting for both low-frequency dispersion and high-frequency non-quasi-static effects. In 2011 10th International Conference on Telecommunications in Modern Satellite, Cable and Broadcasting Services, TELSIKS 2011 - Proceedings of Papers (pp.234-237). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/TELSKS.2011.6112041].
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ND
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
