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In this paper the nonlinear model of a GaN transistor is extracted starting from dynamic bias measurements under class-F operation. Thanks to this technique, applied for the first time to high-efficiency classes of operation, one can get at once and separately the nonlinear currents and charges of the transistor in actual operating conditions. As case study a 0.25-μm GaN HEMT is considered. The model has been fully validated through comparison with harmonic load-pull measurements carried out at 5 GHz.
Vadalà, V., Raffo, A., Avolio, G., Marchetti, M., Schreurs, D., Vannini, G. (2015). Extraction of accurate GaN HEMT model for high-efficiency power amplifier design. In 2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2015 (pp.1-4). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/MWSYM.2015.7166866].
Extraction of accurate GaN HEMT model for high-efficiency power amplifier design
Vadalà, V;Raffo, A;Avolio, G;Marchetti, M;Schreurs, DMMP;Vannini, G
2015
Abstract
In this paper the nonlinear model of a GaN transistor is extracted starting from dynamic bias measurements under class-F operation. Thanks to this technique, applied for the first time to high-efficiency classes of operation, one can get at once and separately the nonlinear currents and charges of the transistor in actual operating conditions. As case study a 0.25-μm GaN HEMT is considered. The model has been fully validated through comparison with harmonic load-pull measurements carried out at 5 GHz.
Vadalà, V., Raffo, A., Avolio, G., Marchetti, M., Schreurs, D., Vannini, G. (2015). Extraction of accurate GaN HEMT model for high-efficiency power amplifier design. In 2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2015 (pp.1-4). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/MWSYM.2015.7166866].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/393649
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
