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This study focuses on temperature dependent characterization of a 0.25x1500 µm2 GaN HEMT. The impact of the ambient temperature on the microwave performance is reported and discussed. It is achieved that the reduction of the average electron velocity with increasing temperature leads to a remarkably degradation of the main figures of merit.
Petrocchi, A., Crupi, G., Vadala', V., Avolio, G., Raffo, A., Schreurs, D., et al. (2017). Thermal characterization of high-power GaN HEMTs up to 65 GHz. In 2017 13th International Conference on Advanced Technologies, Systems and Services in Telecommunications, TELSIKS 2017 - Proceeding (pp.162-165). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/TELSKS.2017.8246254].
Thermal characterization of high-power GaN HEMTs up to 65 GHz
Petrocchi, A;Crupi, G;Vadala', V;Avolio, G;Raffo, A
;Schreurs, DMMP;Caddemi, A;Vannini, G
2017
Abstract
This study focuses on temperature dependent characterization of a 0.25x1500 µm2 GaN HEMT. The impact of the ambient temperature on the microwave performance is reported and discussed. It is achieved that the reduction of the average electron velocity with increasing temperature leads to a remarkably degradation of the main figures of merit.
Figures of merit; GaN; HEMT; Microwave measurements; Temperature;
English
13th International Conference on Advanced Technologies, Systems and Services in Telecommunications, TELSIKS 2017 - 18 October 2017 through 20 October 2017
2017
2017 13th International Conference on Advanced Technologies, Systems and Services in Telecommunications, TELSIKS 2017 - Proceeding
Petrocchi, A., Crupi, G., Vadala', V., Avolio, G., Raffo, A., Schreurs, D., et al. (2017). Thermal characterization of high-power GaN HEMTs up to 65 GHz. In 2017 13th International Conference on Advanced Technologies, Systems and Services in Telecommunications, TELSIKS 2017 - Proceeding (pp.162-165). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/TELSKS.2017.8246254].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/380650
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
