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In this paper, a new approach to class-A power amplifier design is proposed. Such a technique, which is mostly based on low-frequency characterisation, allows to reach the same design goals obtained through expensive nonlinear setups operating at microwave frequencies. In order to demonstrate the effectiveness of the proposed design technique, a practical example of class-A power amplifier design, based on GaN technology, is deeply investigated.
Raffo, A., Di Falco, S., Vadala', V., Scappaviva, F., Vannini, G. (2009). Class-A power amplifier design technique based on electron device low-frequency characterization. In European Microwave Week 2009, EuMW 2009: Science, Progress and Quality at Radiofrequencies, Conference Proceedings - 39th European Microwave Conference, EuMC 2009 (pp.1816-1819). EuMA [10.1109/EUMC.2009.5296392].
Class-A power amplifier design technique based on electron device low-frequency characterization
In this paper, a new approach to class-A power amplifier design is proposed. Such a technique, which is mostly based on low-frequency characterisation, allows to reach the same design goals obtained through expensive nonlinear setups operating at microwave frequencies. In order to demonstrate the effectiveness of the proposed design technique, a practical example of class-A power amplifier design, based on GaN technology, is deeply investigated.
Electron devices, Power amplifiers, Dispersion, Predictive models, Gallium nitride, FETs, Voltage, Integrated circuit modeling, Design methodology, Power system reliability;
English
European Microwave Week 2009, EuMW 2009: Science, Progress and Quality at Radiofrequencies - 39th European Microwave Conference, EuMC 2009 - 28 September 2009 through 2 October 2009
2009
European Microwave Week 2009, EuMW 2009: Science, Progress and Quality at Radiofrequencies, Conference Proceedings - 39th European Microwave Conference, EuMC 2009
Raffo, A., Di Falco, S., Vadala', V., Scappaviva, F., Vannini, G. (2009). Class-A power amplifier design technique based on electron device low-frequency characterization. In European Microwave Week 2009, EuMW 2009: Science, Progress and Quality at Radiofrequencies, Conference Proceedings - 39th European Microwave Conference, EuMC 2009 (pp.1816-1819). EuMA [10.1109/EUMC.2009.5296392].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/380041
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
