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The manuscript presents a comparison between two nonlinear procedures oriented to the investigation of the intrinsic I/V dynamic characteristics at a transistor's current-generator plane. These approaches, without the need of modeling device trapping and thermal effects, allow to obtain information at the current-generator reference plane that is more strictly linked to the device performance in terms of output power and efficiency. Experiments carried out on a 800-μm GaN HEMT are reported.
Vadala', V., Avolio, G., Raffo, A., Schreurs, D., Vannini, G. (2012). Nonlinear embedding and de-embedding techniques for large-signal fet measurements. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 54(12), 2835-2838 [10.1002/mop.27169].
Nonlinear embedding and de-embedding techniques for large-signal fet measurements
Vadala', V;Avolio, G;Raffo, A;Schreurs, DMMP;Vannini, G
2012
Abstract
The manuscript presents a comparison between two nonlinear procedures oriented to the investigation of the intrinsic I/V dynamic characteristics at a transistor's current-generator plane. These approaches, without the need of modeling device trapping and thermal effects, allow to obtain information at the current-generator reference plane that is more strictly linked to the device performance in terms of output power and efficiency. Experiments carried out on a 800-μm GaN HEMT are reported.
Vadala', V., Avolio, G., Raffo, A., Schreurs, D., Vannini, G. (2012). Nonlinear embedding and de-embedding techniques for large-signal fet measurements. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 54(12), 2835-2838 [10.1002/mop.27169].
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
