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EnglishWe report on the observation of room temperature direct band gap photoluminescence in compressively strained-Ge multiple quantum wells with Ge-rich SiGe barriers. A detailed experimental study of the temperature dependence of the photoluminescence is carried out from 5 K up to room temperature. We find that the direct gap photoluminescence at room temperature is due to the thermal excitation of carriers from L-type to Gamma-type confined states. Room temperature photoluminescence shows that Ge/SiGe multiple quantum wells are promising candidates for efficient light emitting devices monolithically integrated on Si.
Giorgioni, A., Gatti, E., Grilli, E., Chernikov, A., Chatterjee, S., Chrastina, D., Isella, G., & Guzzi, M. (2012). Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 111, 013501. https://doi.org/10.1063/1.3673271
| Citazione: | Giorgioni, A., Gatti, E., Grilli, E., Chernikov, A., Chatterjee, S., Chrastina, D., Isella, G., & Guzzi, M. (2012). Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 111, 013501. https://doi.org/10.1063/1.3673271 | |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No | |
| Titolo: | Photoluminescence decay of direct and indirect transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells | |
| Autori: | Giorgioni, A; Gatti, E; Grilli, E; Chernikov, A; Chatterjee, S; Chrastina, D; Isella, G; Guzzi, M | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2012 | |
| Lingua: | English | |
| Rivista: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1063/1.3673271 | |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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