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We study the structural, mechanical and electronic properties of the twodimensional (2D) allotrope of tin: tinene/stanene using first-principles calculation within density functional theory, implemented in a set of computer codes. Continuing the trend of the group-IV 2D materials graphene, silicene and germanene; tinene is predicted to have a honeycomb lattice with lattice parameter of a<inf>0</inf> = 4.62Ã and a buckling of d<inf>0</inf> = 0.92. The electronic dispersion shows a Dirac cone with zero gap at the Fermi energy and a Fermi velocity of ÏF = 0.97 Ã 10<sup>6</sup> ms<sup>-1</sup>; including spin-orbit coupling yields a bandgap of 0.10 eV. The monolayer is thermally stable up to 700 K, as indicated by firstprinciples molecular dynamics, and has a phonon dispersion without imaginary frequencies. We explore applied electric field and applied strain as functionalization mechanisms. Combining these two mechanisms allows for an induced bandgap up to 0.21 eV, whilst retaining the linear dispersion, albeit with degraded electronic transport parameters
Van Den Broek, B., Houssa, M., Scalise, E., Pourtois, G., Afanas'Ev, V., Stesmans, A. (2014). Two-dimensional hexagonal tin: Ab initio geometry, stability, electronic structure and functionalization. 2D MATERIALS, 1(2) [10.1088/2053-1583/1/2/021004].
Two-dimensional hexagonal tin: Ab initio geometry, stability, electronic structure and functionalization
Van Den Broek, B;Houssa, M;SCALISE, EMILIO;Pourtois, G;Afanas'ev, VV;Stesmans, A
2014
Abstract
We study the structural, mechanical and electronic properties of the twodimensional (2D) allotrope of tin: tinene/stanene using first-principles calculation within density functional theory, implemented in a set of computer codes. Continuing the trend of the group-IV 2D materials graphene, silicene and germanene; tinene is predicted to have a honeycomb lattice with lattice parameter of a0 = 4.62Ã and a buckling of d0 = 0.92. The electronic dispersion shows a Dirac cone with zero gap at the Fermi energy and a Fermi velocity of ÏF = 0.97 Ã 106 ms-1; including spin-orbit coupling yields a bandgap of 0.10 eV. The monolayer is thermally stable up to 700 K, as indicated by firstprinciples molecular dynamics, and has a phonon dispersion without imaginary frequencies. We explore applied electric field and applied strain as functionalization mechanisms. Combining these two mechanisms allows for an induced bandgap up to 0.21 eV, whilst retaining the linear dispersion, albeit with degraded electronic transport parameters
Van Den Broek, B., Houssa, M., Scalise, E., Pourtois, G., Afanas'Ev, V., Stesmans, A. (2014). Two-dimensional hexagonal tin: Ab initio geometry, stability, electronic structure and functionalization. 2D MATERIALS, 1(2) [10.1088/2053-1583/1/2/021004].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/181826
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.