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EnglishThe effects of hydrogen incorporation on carrier relaxation and recombination efficiencies in a large series of InAs self-assembled quantum dot structures deposited on InGaAs lower confining layers with different thicknesses and compositions have been addressed. With increasing H dose we observe an improvement in the radiative efficiency. By comparing steady state and time resolved photoluminescence measurements, it is established that the H passivation does not enhance the relaxation and capture efficiencies, but instead directly improves the emission yield from carriers in the dots. We therefore conclude that the H-passivated defects are located nearby, or even inside, the dots.
| Citazione: | Gurioli, M., Zamfirescu, M., Vinattieri, A., Sanguinetti, S., Grilli, E., Guzzi, M., et al. (2006). Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 100(8), 084313. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures |
| Autori: | Gurioli, M; Zamfirescu, M; Vinattieri, A; Sanguinetti, S; Grilli, E; Guzzi, M; Mazzucato, S; Polimeni, A; Capizzi, M; Seravalli, L; Frigeri, P; Franchi, S |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | ott-2006 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1063/1.2358397 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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