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EnglishBergamaschini, R. (2017). Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures. Intervento presentato a: International Conference Nanomeeting 2017, Minsk.
| Citazione: | Bergamaschini, R. (2017). Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures. Intervento presentato a: International Conference Nanomeeting 2017, Minsk. |
| Tipo: | slide |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No |
| Titolo: | Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures |
| Autori: | Bergamaschini, R |
| Autori: | BERGAMASCHINI, ROBERTO (Primo) (Corresponding) |
| Data di pubblicazione: | 2017 |
| Lingua: | English |
| Nome del convegno: | International Conference Nanomeeting 2017 |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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