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Bergamaschini, R. (2017). Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures. Intervento presentato a: International Conference Nanomeeting 2017, Minsk.

Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures

BERGAMASCHINI, ROBERTO
Primo
2017
slide
continuum model; phase-field; heteroepitaxy; semiconductors
English
International Conference Nanomeeting 2017
2017
2017
none
Bergamaschini, R. (2017). Continuum modeling of the heteroepitaxial growth of semiconductor nanostructures. Intervento presentato a: International Conference Nanomeeting 2017, Minsk.
02 - Intervento a convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/156676
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