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EnglishIn the present work we focus on the investigation by electron spin resonance (EPR) and complementary techniques (such as SEM, ToF-SIMS, XPS) of silicon nanowires produced by metal-assisted chemical etching (MACE). In particular we will report on the impact of the MACE process on the donors (P and As) and on surface passivation processes based on H or S. The efficiency of the passivation processes has been monitored by following the EPR signals of the Pb centers at the Si/SiO2 interface
| Citazione: | Fanciulli, M., Paleari, S., Belli, M., & Lamperti, A. (2016). Silicon Nanowires: Donors, Surfaces and Interface Defects. ECS TRANSACTIONS, 75(4), 179-187. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Contributo a Forum/Dibattito, Introduzione |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | No |
| Titolo: | Silicon Nanowires: Donors, Surfaces and Interface Defects |
| Autori: | Fanciulli, M; Paleari, S; Belli, M; Lamperti, A |
| Autori: | FANCIULLI, MARCO (Primo) PALEARI, STEFANO (Secondo) |
| Data di pubblicazione: | 2016 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | ECS TRANSACTIONS |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1149/07504.0179ecst |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| ECS Trans.-2016-Fanciulli-179-87.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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