Crosta, G. (1981). Anwendung der Kontrolltheorie an der Mikrolithographie. In Einladung und Programm zur Tagung Optik und Feinwerktechnik (pp.10-10). Wetzlar : Deutsche Gesellschaft fuer angewandte Optik.
Anwendung der Kontrolltheorie an der Mikrolithographie
CROSTA, GIOVANNI FRANCO FILIPPO
1981
Abstract
Die Anstrengungen der optischen Mikrolithographie zur Herstellung feinster Strukturen sind wohlbekannt. Zu diesem Zweck wenden die Projektionsapparate monochromatisches Licht an, um das Bild einer Binaermaske in die auf einer Silizium-Scheibe liegende photoempfindliche Lacke zu werfen. Die Anwendung aus mehreren Spektrallinine bestehendes (polychromatisches) Lichtes und Masken mit komplexem Durchlaessigkeitsgesetz wird hiermit vorgeschlagen. Um diese Unterlage in Vorteile fuer die obegenannte Technologie umzuwandeln, wird eine Kontrollaufgabe fuer die Helmholtz'sche Gleichung dargelegt. Die Randbedingungen haengen von der Maske und von der Lack-SiO_2-Si Oberflaeche ab. Die dreidimensionale Belichtungsfunktion im Lackvolumen soll das gewuenschte Gesetz am besten annaehern: das is typisch einer optimalen Kontollaufgabe, wobei man das Minimum einer quadratischen, leistungsdichte-abhaengigen Zielfunktion erreichen muss. Das Modell der Lackbelichtung, die variationale Methode und die physikalische Bedeutung der bisher erlangten Ergebnisse werden hier kurz erklaert.
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