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EnglishAccurate first principles calculations reveal that a huge inward relaxation turns the originally stepped Ge(105) surface into a flat one, with surface energy equal to the Ge(001)p(2×2) at the bulk lattice parameter. Under in-plane compression (up to 4%) the surface energy of the (105) gets sizably lower than the (001), because of a combination of the elastic contribution provided by stretched dimers at the rebonded steps and the dangling-bond energy lowering generated by enhanced tilting of these dimers. © 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
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http://hdl.handle.net/10281/8760| Citazione: | Migas, D.B., Cereda, S., Montalenti, F., & Miglio, L. (2004). Electronic and elastic contributions in the enhanced stability of Ge(105) under compressive strain. SURFACE SCIENCE, 556(2-3), 121-128. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Electronic and elastic contributions in the enhanced stability of Ge(105) under compressive strain |
| Autori: | Migas, DB; Cereda, S; Montalenti, F; Miglio, L |
| Autori interni: | MIGLIO, LEONIDA MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA |
| Data di pubblicazione: | mag-2004 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | SURFACE SCIENCE |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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