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High phosphorus concentration was introduced in the near surface region of a highly resistive silicon substrate by ultra-low energy ion implantation (ULE-II), resulting in the formation of a two-dimensional electron gas (2DEG) with clear signature of weak antilocalization (WAL). In plane periodic modulation of dopant impurities notably affected the electron conduction and determined a significant increase of WAL signature.
Perego, M., Kuschlan, S., Perez-Murano, F., Llobet, J., Femandez-Regulez, M., Chiarcos, R., et al. (2025). Controlling Phosphorus Doping at the Nanoscale to Promote Synthetic Spin Orbit Coupling in Silicon. In 2025 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) (pp.8-9). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.23919/snw65111.2025.11097218].
Controlling Phosphorus Doping at the Nanoscale to Promote Synthetic Spin Orbit Coupling in Silicon
High phosphorus concentration was introduced in the near surface region of a highly resistive silicon substrate by ultra-low energy ion implantation (ULE-II), resulting in the formation of a two-dimensional electron gas (2DEG) with clear signature of weak antilocalization (WAL). In plane periodic modulation of dopant impurities notably affected the electron conduction and determined a significant increase of WAL signature.
Perego, M., Kuschlan, S., Perez-Murano, F., Llobet, J., Femandez-Regulez, M., Chiarcos, R., et al. (2025). Controlling Phosphorus Doping at the Nanoscale to Promote Synthetic Spin Orbit Coupling in Silicon. In 2025 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) (pp.8-9). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.23919/snw65111.2025.11097218].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/565926
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
