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In the last decades Silicon Carbide (SiC) received special attentions, in particular as semiconductor material, because is considered as alternative to Silicon for the future high-power, low consumption, radiation-hard microelectronics devices. This ambitious goal is particularly interesting also for the physics of the detectors. In this work are discussed some of the recent results obtained by SiCILIA collaboration, a joint research activity between INFN and IMM institutions to increase the level of technological development in the field of SiC detectors.
La Via, F., Tudisco, S., Altana, C., Boscardin, M., Ciampi, C., Cirrone, G., et al. (2020). Silicon Carbide devices for radiation detection and measurements. In 2019 International Workshop on Detection Systems and Techniques in Nuclear and Particle Physics, DeSyT 2019. Institute of Physics Publishing [10.1088/1742-6596/1561/1/012013].
Silicon Carbide devices for radiation detection and measurements
La Via F.;Tudisco S.
;Altana C.;Boscardin M.;Ciampi C.;Cirrone G. A. P.;Fazzi A.;Giove D.;Gorini G.;Lanzalone G.;Muoio A.;Pasquali G.;Petringa G.;Puglia S. M. R.;Rebai M.;Santangelo A.;Trifiro A.
2020
Abstract
In the last decades Silicon Carbide (SiC) received special attentions, in particular as semiconductor material, because is considered as alternative to Silicon for the future high-power, low consumption, radiation-hard microelectronics devices. This ambitious goal is particularly interesting also for the physics of the detectors. In this work are discussed some of the recent results obtained by SiCILIA collaboration, a joint research activity between INFN and IMM institutions to increase the level of technological development in the field of SiC detectors.
Microelectronics; Semiconductor devices; Wide band gap semiconductors;
English
2019 International Workshop on Detection Systems and Techniques in Nuclear and Particle Physics, DeSyT 2019 - 11 September 2019 through 13 September 2019
2019
Trifiro, A; Mandaglio, G; Trimarchi, M
2019 International Workshop on Detection Systems and Techniques in Nuclear and Particle Physics, DeSyT 2019
La Via, F., Tudisco, S., Altana, C., Boscardin, M., Ciampi, C., Cirrone, G., et al. (2020). Silicon Carbide devices for radiation detection and measurements. In 2019 International Workshop on Detection Systems and Techniques in Nuclear and Particle Physics, DeSyT 2019. Institute of Physics Publishing [10.1088/1742-6596/1561/1/012013].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/481361
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.