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Semiconducting iron suicide dots with dimensions ranging between 5 and 100 nm can be obtained by ion implantation on Si wafers and exhibit interesting photo- and electro- luminescent properties. In our study we use structural and optical characterization as well as theoretical modelling in order to: i) discriminate among intrinsic effects of FeSi2 dots and effects due to lattice damage and Si matrix; ii) identify the range of physical parameters (size, phase, electronic structure) corresponding to the luminescent dots.
Galli, M., Marabelli, F., Pagetti, A., Grimaldi, M., Coffa, S., Spinella, C., et al. (1999). Properties of ion beam synthesized iron disilicide dots. In Symposium on Semiconductor Quantum Dots held at the 1999 MRS Spring Meeting (pp.287-292). Warrendale, PA : Materials Research Society [10.1557/proc-571-287].
Properties of ion beam synthesized iron disilicide dots
Galli, M;Marabelli, F;Pagetti, A;Grimaldi, M;Coffa, S;Spinella, C;Miglio, L
1999
Abstract
Semiconducting iron suicide dots with dimensions ranging between 5 and 100 nm can be obtained by ion implantation on Si wafers and exhibit interesting photo- and electro- luminescent properties. In our study we use structural and optical characterization as well as theoretical modelling in order to: i) discriminate among intrinsic effects of FeSi2 dots and effects due to lattice damage and Si matrix; ii) identify the range of physical parameters (size, phase, electronic structure) corresponding to the luminescent dots.
Galli, M., Marabelli, F., Pagetti, A., Grimaldi, M., Coffa, S., Spinella, C., et al. (1999). Properties of ion beam synthesized iron disilicide dots. In Symposium on Semiconductor Quantum Dots held at the 1999 MRS Spring Meeting (pp.287-292). Warrendale, PA : Materials Research Society [10.1557/proc-571-287].
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
