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The energy levels of GaAs/AlGaAs quantum dots (QDs) are studied utilizing high pressure photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE), and single QD micro-PL measurements. It is found that the electron first excited state is situated 70 meV above the electron ground state, and the separation between the heavy hole ground state and its first excited state is found to be 20 meV. These values agree with effective-mass calculations. From the single QD micro-PL spectrum, the multi-electronic correlation energy is found to be of the order of 1 meV.
Yamagiwa, M., Minami, F., Sanguinetti, S., Kuroda, T., Koguchi, N. (2005). Electronic and multi-electronic structures in GaAs quantum dots. In Physics of Semiconductors, Pts A and B (pp.679-680). AMER INST PHYSICS [10.1063/1.1994288].
Electronic and multi-electronic structures in GaAs quantum dots
The energy levels of GaAs/AlGaAs quantum dots (QDs) are studied utilizing high pressure photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE), and single QD micro-PL measurements. It is found that the electron first excited state is situated 70 meV above the electron ground state, and the separation between the heavy hole ground state and its first excited state is found to be 20 meV. These values agree with effective-mass calculations. From the single QD micro-PL spectrum, the multi-electronic correlation energy is found to be of the order of 1 meV.
Yamagiwa, M., Minami, F., Sanguinetti, S., Kuroda, T., Koguchi, N. (2005). Electronic and multi-electronic structures in GaAs quantum dots. In Physics of Semiconductors, Pts A and B (pp.679-680). AMER INST PHYSICS [10.1063/1.1994288].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/33509
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
