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The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2026, necessitates the replacement of the CMS experiment’s silicon tracker. The innermost layer of the new pixel detector will be exposed to severe radiation, corresponding to a 1 MeV neutron equivalent fluence of up to Φ eq= 2 × 10 16 cm- 2, and an ionising dose of ≈ 5 MGy after an integrated luminosity of 3000 fb- 1. Thin, planar silicon sensors are good candidates for this application, since the degradation of the signal produced by traversing particles is less severe than for thicker devices. In this paper, the results obtained from the characterisation of 100 and 200 μ m thick p-bulk pad diodes and strip sensors irradiated up to fluences of Φ eq= 1.3 × 10 16 cm- 2 are shown.
Adam, W., Bergauer, T., Brondolin, E., Dragicevic, M., Friedl, M., Fruhwirth, R., et al. (2017). Characterisation of irradiated thin silicon sensors for the CMS phase II pixel upgrade. THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. C, PARTICLES AND FIELDS, 77(8) [10.1140/epjc/s10052-017-5115-z].
Characterisation of irradiated thin silicon sensors for the CMS phase II pixel upgrade
The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2026, necessitates the replacement of the CMS experiment’s silicon tracker. The innermost layer of the new pixel detector will be exposed to severe radiation, corresponding to a 1 MeV neutron equivalent fluence of up to Φ eq= 2 × 10 16 cm- 2, and an ionising dose of ≈ 5 MGy after an integrated luminosity of 3000 fb- 1. Thin, planar silicon sensors are good candidates for this application, since the degradation of the signal produced by traversing particles is less severe than for thicker devices. In this paper, the results obtained from the characterisation of 100 and 200 μ m thick p-bulk pad diodes and strip sensors irradiated up to fluences of Φ eq= 1.3 × 10 16 cm- 2 are shown.
Adam, W., Bergauer, T., Brondolin, E., Dragicevic, M., Friedl, M., Fruhwirth, R., et al. (2017). Characterisation of irradiated thin silicon sensors for the CMS phase II pixel upgrade. THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. C, PARTICLES AND FIELDS, 77(8) [10.1140/epjc/s10052-017-5115-z].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/286661
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
