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The stacking faults (SFs) in 3C-SiC epitaxially grown on ridges deeply etched into Si(001) substrates offcut towards [110] were quantitatively analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction. A significant reduction of SF density with respect to planar material was observed for the {111} planes parallel to the ridges. The highest SF density was found in the (-1-11) plane. A previously observed defect was identified as twins by electron backscatter diffraction.
Meduna, M., Kreiliger, T., Prieto, I., Mauceri, M., Puglisi, M., Mancarella, F., et al. (2016). Stacking fault analysis of epitaxial 3C-SiC on Si(001) ridges. In 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015 (pp.147-150). Trans Tech Publications Ltd [10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147].
Stacking fault analysis of epitaxial 3C-SiC on Si(001) ridges
Meduna M.;Kreiliger T.;Prieto I.;Mauceri M.;Puglisi M.;Mancarella F.;La Via F.;Crippa D.;Miglio L.;von Kanel H.
2016
Abstract
The stacking faults (SFs) in 3C-SiC epitaxially grown on ridges deeply etched into Si(001) substrates offcut towards [110] were quantitatively analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction. A significant reduction of SF density with respect to planar material was observed for the {111} planes parallel to the ridges. The highest SF density was found in the (-1-11) plane. A previously observed defect was identified as twins by electron backscatter diffraction.
Meduna, M., Kreiliger, T., Prieto, I., Mauceri, M., Puglisi, M., Mancarella, F., et al. (2016). Stacking fault analysis of epitaxial 3C-SiC on Si(001) ridges. In 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015 (pp.147-150). Trans Tech Publications Ltd [10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147].
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
