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EnglishBased on ab initio calculations, we propose an atomic-scale path leading to the growth of a new layer on the rebonded-step reconstructed Ge(105) surface. We show that the nucleation of (001)-like dimers triggers the formation of low-energy adtrimers within the surface unit cell. The presence of adjacent trimers and the arrival of a further adatom initiate a fast kinetic process, allowing the perfect rebonded-step structure to be rebuilt. After repeating some of the calculations under compressive-strain conditions, we discuss position-dependent nucleation in (105) Ge pyramid on Si(001), finding solid theoretical justification for the experimentally observed preferential nucleation at the top of Ge islands, followed by fast step flow. © 2007 The American Physical Society.
http://hdl.handle.net/10281/2691| Citazione: | Cereda, S., & Montalenti, F. (2007). Atomic-scale modeling of next-layer nucleation and step flow at the Ge(105) rebonded-step surface. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 75, 195321. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Atomic-scale modeling of next-layer nucleation and step flow at the Ge(105) rebonded-step surface. |
| Autori: | Cereda, S; Montalenti, F |
| Autori interni: | MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA |
| Data di pubblicazione: | mag-2007 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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| File | Descrizione | Dimensione | Formato | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Atomic-scale_modeling_of_next-layer_nucleation_and_step_flow_at_the.pdf | 831.23 kB | Adobe PDF | publisher version | Open Access Visualizza/Apri |
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