IRIS – Institutional Research Information System
IRIS è il sistema di gestione della ricerca dell’Università degli Studi di Milano-Bicocca.Il repository BOA è il modulo del sistema dedicato alla raccolta e alla disseminazione della produzione scientifica di Ateneo. Le pubblicazioni sono ricercabili per parola chiave attraverso il box nella barra orizzontale in alto oppure, mediante il pulsante Sfoglia, per "Afferenza", "Autore", "Titolo", "Tipologia" o "Settore scientifico-disciplinare".
IRIS contiene inoltre alcuni moduli dedicati alla registrazione dei progetti e dei contratti, e alla reportistica avanzata per le attività di valutazione della ricerca
EnglishA systematic study of the optical and microscopic properties of self-assembled quantum dots in InxGa1-xAs/GaAs heterostructures has been carried out by varying the In concentration and the (InGa)As layer thickness on both (1 0 0) and (3 1 1)B orientations. Photoluminescence spectroscopy indicates that the dot formation on high-index substrates is delayed at larger amount of (InGa)As with respect to (1 0 0) substrates for both moderate (x = 0.5) and high (x = 1.0) lattice mismatch. Atomic force microscopy shows that consistently smaller and flatter dots are obtained on high-index planes, highlighting the important role played by substrate morphology on the dot self-aggregation process.
Polimeni, A., Patane', A., Henini, M., Eaves, L., Main, P., Sanguinetti, S., et al. (1999). Influence of High-Index GaAs Substrates on the Growth of Highly-Strained (InGa)As/GaAs Heterostructures. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201-202, 276-279 [10.1016/S0022-0248(98)01339-6].
| Citazione: | Polimeni, A., Patane', A., Henini, M., Eaves, L., Main, P., Sanguinetti, S., et al. (1999). Influence of High-Index GaAs Substrates on the Growth of Highly-Strained (InGa)As/GaAs Heterostructures. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201-202, 276-279 [10.1016/S0022-0248(98)01339-6]. | |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Titolo: | Influence of High-Index GaAs Substrates on the Growth of Highly-Strained (InGa)As/GaAs Heterostructures | |
| Autori: | Polimeni, A; Patane', A; Henini, M; Eaves, L; Main, P; Sanguinetti, S; Guzzi, M | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1999 | |
| Lingua: | English | |
| Rivista: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01339-6 | |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Copyright © 2021