IRIS – Institutional Research Information System
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EnglishA very high probability (similar to 60%) for H abstraction induced by SiH3 thermal impacts on the Si(001)(2x1) hydrogenated surface is reported, as a consequence of the Eley-Rideal mechanism by which a silane molecule is formed. The reaction probability is computed within a fully dynamical approach. After running a limited set of ab initio Car-Parrinello simulations to validate a suitable empirical potential, an actual probability for the mechanism was estimated by averaging over thousands of classical molecular dynamics simulations. The probability of H abstraction is shown to be quite constant in the typical experimental range for plasma-enhanced chemical vapor deposition. Very low evidence for insertion of the radical into surface Si-Si bonds is found.
http://hdl.handle.net/10281/2460| Citazione: | Cereda, S., Ceriotti, M., Montalenti, F., Bernasconi, M., & Miglio, L. (2007). Quantitative estimate of H abstraction by thermal SiH3 on hydrogenated Si(001)(2x1). PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 75(23), 235311. |
| Tipo: | Articolo in rivista - Articolo scientifico |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica |
| Titolo: | Quantitative estimate of H abstraction by thermal SiH3 on hydrogenated Si(001)(2x1) |
| Autori: | Cereda, S; Ceriotti, M; Montalenti, F; Bernasconi, M; Miglio, L |
| Autori interni: | MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA BERNASCONI, MARCO MIGLIO, LEONIDA |
| Data di pubblicazione: | giu-2007 |
| Lingua: | English |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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