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Bicocca Open Archive
We present the molecular beam epitaxy fabrication and optical
properties of complex GaAs nanostructures by droplet epitaxy:
concentric triple quantum rings. A significant difference was found
between the volumes of the original droplets and the final GaAs
structures. By means of atomic force microscopy and photoluminescence
spectroscopy, we found that a thin GaAs quantum well-like layer is
developed all over the substrate during the growth interruption times,
caused by the migration of Ga in a low As background.
Somaschini, C., Bietti, S., Fedorov, A., Koguchi, N., Sanguinetti, S. (2010). Growth Interruption Effect on the Fabrication of GaAs Concentric Multiple Rings by Droplet Epitaxy. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 5(12), 1897-1900 [10.1007/s11671-010-9752-5].
Growth Interruption Effect on the Fabrication of GaAs Concentric Multiple Rings by Droplet Epitaxy
We present the molecular beam epitaxy fabrication and optical
properties of complex GaAs nanostructures by droplet epitaxy:
concentric triple quantum rings. A significant difference was found
between the volumes of the original droplets and the final GaAs
structures. By means of atomic force microscopy and photoluminescence
spectroscopy, we found that a thin GaAs quantum well-like layer is
developed all over the substrate during the growth interruption times,
caused by the migration of Ga in a low As background.
Somaschini, C., Bietti, S., Fedorov, A., Koguchi, N., Sanguinetti, S. (2010). Growth Interruption Effect on the Fabrication of GaAs Concentric Multiple Rings by Droplet Epitaxy. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 5(12), 1897-1900 [10.1007/s11671-010-9752-5].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/10281/23668
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 598/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
