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EnglishPhotoluminescence (PL) of Gd-doped silica in the ultraviolet (UV) is investigated. The efficient emission detected at 314 nm is due to the 6P7/2 to 8S7/2 transition of a 4f electron of the Gd3+ ion.
He, J., Wang, Y., Steigenberger, S., Macpherson, A., Chiodini, N., & Brambilla, G. (2016). Intense ultraviolet photoluminescence at 314 nm in Gd3+-doped silica. Intervento presentato a: 2016 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2016, usa [10.1364/cleo_at.2016.jth2a.86].
| Citazione: | He, J., Wang, Y., Steigenberger, S., Macpherson, A., Chiodini, N., & Brambilla, G. (2016). Intense ultraviolet photoluminescence at 314 nm in Gd3+-doped silica. Intervento presentato a: 2016 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2016, usa [10.1364/cleo_at.2016.jth2a.86]. | |
| Tipo: | slide + paper | |
| Carattere della pubblicazione: | Scientifica | |
| Presenza di un coautore afferente ad Istituzioni straniere: | Si | |
| Titolo: | Intense ultraviolet photoluminescence at 314 nm in Gd3+-doped silica | |
| Autori: | He, J; Wang, Y; Steigenberger, S; Macpherson, A; Chiodini, N; Brambilla, G | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2016 | |
| Lingua: | English | |
| Nome del convegno: | 2016 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2016 | |
| ISBN: | 9781943580118 | |
| Serie: | CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS | |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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